SGD02N120分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SGD02N120 |
| 参数属性 | SGD02N120 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3 |
| 功能描述 | Fast IGBT in NPT-technology 40 lower Eoff compared to previous generation |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
382.36 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-25 8:18:00 |
| 人工找货 | SGD02N120价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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SGD02N120规格书详情
SGD02N120属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的SGD02N120晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
SGD02N120BUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.6V @ 15V，2A
- 开关能量：
220µJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/260ns
- 测试条件：
800V，2A，91 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
PG-TO252-3-11
- 描述：
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
38522 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
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TO-252 |
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Infineon Technologies |
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Infineon Technologies |
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5000 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-252 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2324+ |
TO-252-3 |
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INFINEON |
TO-252 |
22+ |
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NFINEON |
11+ |
TO252 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON |
23+ |
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