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SGI02N120	文件：386.07 Kbytes Page：12 Pages	Fast S-IGBT in NPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGI02N120	文件：382.36 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 40 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGI02N120XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGP02N120	文件：315.37 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Fastswitching ·LowSwitchingLosses APPLICATIONS ·Motorcontrols ·Inverter ·SMPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SKB02N120	文件：402.05 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistributi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB02N120	文件：1.16225 Mbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode Allowednumberofshortcircuits:1s. •lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforfrequencyinvertersforwashingmachi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SGI02N120
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多SGI02N120供应商更新时间2025-5-29 15:30:00

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