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SGB02N120	文件：386.07 Kbytes Page：12 Pages	Fast S-IGBT in NPT-technology Fast S-IGBT in NPT-technology • 40 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter - SMPS • NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavio 文件：386.07 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGB02N120	文件：439.41 Kbytes Page：11 Pages	Fast IGBT in NPT-technology Lower Eoff compared to previous generation 文件：439.41 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGB02N120	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT 英飞凌提供庞大的 IGBT 产品组合，解决软开关/谐振和硬开关拓扑。\n \n • 较上一代产品能耗降低 30%\n• 短路承受时间 – 10μs\n• 设计用于 30kHz 以上应用\n• 高稳健性和温度稳定性\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 符合目标应用 JEDEC 标准\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
SGB02N120_07	文件：439.41 Kbytes Page：11 Pages	Fast IGBT in NPT-technology Lower Eoff compared to previous generation 文件：439.41 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SGB02N120ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Technology ：
IGBT Fast
Switching Frequency min max：
10.0kHz 40.0kHz
Package ：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
2.8A
IC(@25°) max：
6.2A
ICpuls max：
9.6A
Ptot max：
62.0W
VCE(sat) ：
3.7V
Eon ：
0.27mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.11mJ
td(on) ：
26.0ns
tr ：
14.0ns
td(off) ：
290.0ns
tf ：
85.0ns
QGate ：
11.0nC
VCE max：
1200.0V
Switching Frequency ：
Fast IGBT 10-40 kHz

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