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SKB02N120	文件：1.16225 Mbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Allowed number of short circuits: 1s. • lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for frequency inverters for washing machi 文件：1.16225 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB02N120	文件：615.49 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode Allowed number of short circuits: 1s. • lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 s • Designed for frequency inverters for 文件：615.49 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB02N120	文件：402.05 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 40lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter - SMPS • NPT-Technology offers: - very tight parameter distributi 文件：402.05 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB02N120	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT 英飞凌提供庞大的 IGBT 产品组合，解决软开关/谐振和硬开关拓扑。\n \n • 较上一代产品能耗降低 30%\n• 短路承受时间 – 10μs\n• 设计用于 30kHz 以上应用\n• 高稳健性和温度稳定性\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 符合目标应用 JEDEC 标准\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB02N120_07	文件：1.16225 Mbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Allowed number of short circuits: 1s. • lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for frequency inverters for washing machi 文件：1.16225 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB02N120_13	文件：615.49 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode Allowed number of short circuits: 1s. • lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 s • Designed for frequency inverters for 文件：615.49 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Fast
Switching Frequency min max：
10.0kHz 40.0kHz
Package ：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
2.8A
IC(@25°) max：
6.2A
ICpuls max：
9.6A
Ptot max：
62.0W
VCE(sat) ：
3.7V
Eon ：
0.27mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.11mJ
td(on) ：
26.0ns
tr ：
14.0ns
td(off) ：
290.0ns
tf ：
85.0ns
QGate ：
11.0nC
IF max：
4.5A
IFpuls max：
9.0A
VF ：
2.0V
Qrr ：
100.0nC
Irrm ：
4.2A
VCE max：
1200.0V

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