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SKB02N120	文件：1.16225 Mbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode Allowednumberofshortcircuits:1s. •lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforfrequencyinvertersforwashingmachi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB02N120	文件：615.49 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode Allowednumberofshortcircuits:1s. •lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10s •Designedforfrequencyinvertersfor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB02N120	文件：402.05 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistributi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SKB02N120_07	文件：1.16225 Mbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode Allowednumberofshortcircuits:1s. •lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforfrequencyinvertersforwashingmachi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
SKB02N120
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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