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KSH44H11TM	文件：168.95 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Description Designedforgeneral-purposepowerandswitching,suchasoutputordriverstagesinapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplication(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I”Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE44H •FastSwitchingSpeeds •LowCollec	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJB44H11	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11	文件：75.98 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors D2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowCollector−EmitterSatu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11	文件：242.51 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJB44H11	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：296.78 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Pb-freepackageareavailable ·Fastswitchingspeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Generalpurposeamplificationandswitchingsuchas outordriverstagesinapplicati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD44H11	文件：192.88 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES80VOLTS20WATTS ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications ...forgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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更多J44H11G供应商更新时间2025-5-24 13:40:00

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