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MJD44H11	文件：217.1 Kbytes Page：8 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD44H11	文件：263.67 Kbytes Page：7 Pages	GateDriver Description: M57161L-01isahybridintegratedcircuitdesignedfordrivingPowerexF-SeriesIGBTmodules.Thisgatedriverconvertslogiclevelcontrolsignalsintohighcurrentgatedrivewithsuitableonandoffbiasvoltages.Electricalisolationoftheinputcontrolsignalisprovidedbyan	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
MJD44H11	文件：302.13 Kbytes Page：2 Pages	Designedforgeneralpurposepowerandswitching	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MJD44H11	文件：310.51 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11	文件：241.83 Kbytes Page：12 Pages	80V,8ANPNhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:MJD45H11 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Ele	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD44H11	文件：342.76 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=8A ·FastSwitchingSpeeds ·ComplementtoTypeMJD45H11 ·DPAKforSurfaceMountApplications APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposepoweramplificationand switchingsuchasoutputordriverstagesinappl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD44H11A	文件：242.13 Kbytes Page：12 Pages	80V,8ANPNhighpowerbipolartransistor 1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:MJD45H11A 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •El	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD44H11G	文件：132.18 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11G	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11G	文件：114.33 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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