MJD44H11A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MJD44H11A |
| 参数属性 | MJD44H11A 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 8A DPAK |
| 功能描述 | 80 V, 8 A NPN high power bipolar transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DPAK / TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
242.13 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 18:01:00 |
| 人工找货 | MJD44H11A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJD44H11A规格书详情
MJD44H11A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的MJD44H11A晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
1. General description
NPN high power bipolar transistor in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device
(SMD) plastic package.
PNP complement: MJD45H11A
2. Features and benefits
• High thermal power dissipation capability
• High energy efficiency due to less heat generation
• Electrically similar to popular MJD44H series
• Low collector emitter saturation voltage
• Fast switching speeds
• AEC-Q101 qualified
3. Applications
• Power management
• Load switch
• Linear mode voltage regulator
• Constant current drive backlighting application
• Motor drive
• Relay replacement
产品属性
更多- 产品编号：
MJD44H11AJ
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 2A，1V
- 频率 - 跃迁：
160MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN 80V 8A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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