MJD44H11分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	MJD44H11
参数属性	MJD44H11 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 8A DPAK
功能描述	80 V, 8 A NPN high power bipolar transistor TRANS NPN 80V 8A DPAK
丝印标识	MJD44H11
封装外壳	DPAK / TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
文件大小	241.83 Kbytes
页面数量	12 页
生产厂商	Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称	NEXPERIA【安世】
中文名称	安世半导体(中国)有限公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-7-31 23:01:00
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MJD44H11规格书详情

MJD44H11属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的MJD44H11晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

1. General description

NPN high power bipolar transistor in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device

(SMD) plastic package.

PNP complement: MJD45H11

2. Features and benefits

• High thermal power dissipation capability

• High energy efficiency due to less heat generation

• Electrically similar to popular MJD44H series

• Low collector emitter saturation voltage

• Fast switching speeds

3. Applications

• Power management

• Load switch

• Linear mode voltage regulator

• Constant current drive backlighting application

• Motor drive

• Relay replacement

产品属性

产品编号：
MJD44H11AJ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
160MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 80V 8A DPAK

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