MJD44E3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MJD44E3 |
| 参数属性 | MJD44E3 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK |
| 功能描述 | Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications 10 AMPERES 80 VOLTS, 20 WATTS |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
50.87 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-12 17:22:00 |
| 人工找货 | MJD44E3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJD44E3规格书详情
MJD44E3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的MJD44E3晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Darlington Power Transistor
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.
特性 Features
• Electrically Similar to Popular D44E3 Device
• High DC Gain − 1000 Min @ 5.0 Adc
• Low Sat. Voltage − 1.5 V @ 5.0 Adc
• Compatible With Existing Automatic Pick and Place Equipment
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V
Machine Model, C 400 V
• Pb−Free Package is Available
产品属性
更多- 产品编号：
MJD44E3T4G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 20mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
DPAK |
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