MJD44E3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MJD44E3 |
| 参数属性 | MJD44E3 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK |
| 功能描述 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
309.33 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | ISC |
| 中文名称 | 无锡固电 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-2 23:01:00 |
| 人工找货 | MJD44E3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJD44E3规格书详情
DESCRIPTION
·High DC Current Gain
: hFE = 1000(Min)@ IC= 5A
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage
: VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC= 5A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general-purpose amplifier and low-speed
switching applications
产品属性
- 产品编号：
MJD44E3T4G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 20mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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onsemi(安森美) |
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