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IXLF19N250A	文件：68.32 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBT Features ●HighVoltageIGBT -substituteforhighvoltageMOSFETswithsignificantlylowervoltagedropandcomparableswitchingspeed -substituteforhighvoltagethyristorswithvoltagecontrolofturnonandturnoff -substituteforelectromechanicaltriggeranddischargerelays	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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IXLF19N250A

文件：68.32 Kbytes

Page：4 Pages

HighVoltageIGBT

Features ●HighVoltageIGBT -substituteforhighvoltageMOSFETswithsignificantlylowervoltagedropandcomparableswitchingspeed -substituteforhighvoltagethyristorswithvoltagecontrolofturnonandturnoff -substituteforelectromechanicaltriggeranddischargerelays

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

详细参数

型号：
IXLV19N250A
功能描述：
IGBT 晶体管
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鼎欣微电子有限公司	IXM2B03P1	IXYS/艾赛斯	23+	DIP-8	98000		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IXM63C02	ZETEX	2017+	MSOP8	21458	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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更多IXLV19N250A供应商更新时间2024-4-29 10:58:00

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