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IXSH35N120B	文件：82.36 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features • Epitaxial Silicon drift region - fast switching - small tail current • MOS gate turn-on for drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • Uninterruptible power supplies (UPS) • Switched-mode and resonant-mode power supplies • DC cho 文件：82.36 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXSH35N120B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 70A 300W TO247	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXST35N120B	文件：82.36 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features • Epitaxial Silicon drift region - fast switching - small tail current • MOS gate turn-on for drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • Uninterruptible power supplies (UPS) • Switched-mode and resonant-mode power supplies • DC cho 文件：82.36 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
FGL35N120FTD	文件：732.96 Kbytes Page：9 Pages	1200V, 35A Trench IGBT General Description Using advanced field stop trench IGBT technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching application such as solar inverter, UPS, welder applications. Features • Field Stop Trench Technology • High Speed Switching • Low Saturation V 文件：732.96 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGL35N120FTDTU	文件：732.96 Kbytes Page：9 Pages	1200V, 35A Trench IGBT General Description Using advanced field stop trench IGBT technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching application such as solar inverter, UPS, welder applications. Features • Field Stop Trench Technology • High Speed Switching • Low Saturation V 文件：732.96 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IXGH35N120	文件：53.74 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Lightspeed Series IGBT Lightspeed Series Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD • Low switching losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC choppers • Uninterruptible power supplies (U 文件：53.74 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXSH35N120B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.6V @ 15V，35A
开关能量：
5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
36ns/160ns
测试条件：
960V，35A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 70A 300W TO247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXSH35N120B	IXYS	24+	TO-247	8866		询价
深圳市科雨电子有限公司	IXSH35N120B	IXYS	25+	TO-247	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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