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FGL35N120FTD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGL35N120FTD
厂商型号

FGL35N120FTD

参数属性

FGL35N120FTD 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 1200V 70A TO264-3

功能描述

1200V, 35A Trench IGBT

封装外壳

TO-264-3,TO-264AA

文件大小

732.96 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 23:06:00

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FGL35N120FTD规格书详情

General Description

Using advanced field stop trench IGBT technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching application such as solar inverter, UPS, welder applications.

Features

• Field Stop Trench Technology

• High Speed Switching

• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35 A

• High Input Impedance

Applications

• Solar Inverter, UPS, Welder, PFC

产品属性

  • 产品编号:

    FGL35N120FTDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    2.5mJ(开),1.7mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    34ns/172ns

  • 测试条件:

    600V,35A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 1200V 70A TO264-3

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