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IXKC20N60C	文件：520.97 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package CoolMOS™PowerMOSFETinISOPLUS220™Package ElectricallyIsolatedBackSurface N-ChannelEnhancementMode LowRDS(on),SuperjunctionMOSFET Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXKC20N60C	文件：305.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •Highpowerdissipation •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190mΩ@VGS=10V •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverters •HighCurrentSwitchingApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH20N60	文件：105.52 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET MegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH20N60	文件：371.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTM20N60	文件：105.52 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOSFET MegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM20N60	文件：302.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
JCS20N60ANH	文件：895.29 Kbytes Page：8 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS20N60CAH	文件：845.91 Kbytes Page：8 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS20N60CAH-O-CA-N-B	文件：845.91 Kbytes Page：8 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS20N60FH	文件：4.22294 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

详细参数

型号：
IXKC20N60C
功能描述：
MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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