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IXKC20N60C中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IXKC20N60C规格书详情
• FEATURES
• High power dissipation
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤ 190mΩ@VGS=10V
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
• APPLICATION
• DC/DC Converters
• High Current Switching Applications
产品属性
- 型号:
IXKC20N60C
- 功能描述:
MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
1948+ |
TO-220 |
6852 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-220-3 |
38685 |
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询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-220 |
90000 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS220? |
9000 |
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询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
3200 |
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询价 | ||
IXYS |
TO-220 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
询价 | |||
IXYS |
2010+ |
TO-220 |
6000 |
绝对原装自己现货 |
询价 | ||
IXYS |
18+ |
TO-220 |
85600 |
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询价 | ||
IXYS |
23+ |
ISOPLUS22 |
12300 |
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