IXTH20N60中文资料PDF规格书
IXTH20N60规格书详情
MegaMOS™FET
N-Channel Enhancement Mode
Features
• International standard packages
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
• Fast switching times
Applications
• Switch-mode and resonant-mode power supplies
• Motor control
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• DC choppers
Advantages
• Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXTH20N60
- 功能描述：
MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA/ |
5380 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO247 |
58000 |
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询价 | ||
IXYS |
2020+ |
TO-3P |
16800 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
TO-247 |
265209 |
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询价 | |||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
2368 |
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询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
8000 |
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询价 | ||
IXYS |
1746+ |
TO247 |
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询价 | ||
IXYS |
07+/08+ |
TO-247AD |
2142 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
SMD |
67000 |
原装正品实单可谈 库存现货 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
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