IXTH20N60中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号：
IXTH20N60
- 功能描述：
MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
TO-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
2368 |
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询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
8000 |
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IXYS |
1746+ |
TO247 |
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IXYS |
07+/08+ |
TO-247AD |
2142 |
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IXYS |
23+ |
SMD |
67000 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO247 |
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IXYS |
23+ |
TO-247 |
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IXYS |
24+ |
TO-247 |
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IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
TO-247 |
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