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MDF7N60TH	文件：745.05 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,7A,1.15(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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MGP7N60E	文件：122.09 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGP7N60E	文件：118.14 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
IXGP7N60C
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™, Lightspeed™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，7A
开关能量：
70µJ（开），120µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
9ns/65ns
测试条件：
480V，7A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 14A 54W TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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