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MDP7N60BTH	文件：1.2947 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 7.0A, 1.15(ohm) 文件：1.2947 Mbytes 页数：8 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDP7N60BTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MGP7N60E	文件：122.09 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications requiring both a high temperature short circuit capability and a low VCE(on) 文件：122.09 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MGP7N60E	文件：118.14 Kbytes Page：5 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications requiring both a high temperature short circuit capability and a low VCE(on) 文件：118.14 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGP7N60ED	文件：144.18 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor withr Anti-Parallel Diode This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co–packaged with a soft recovery ultra–fast rectifier and uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications requiring both 文件：144.18 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Ids [A] 25°C：
7.0
Vgs(th) [Max V]：
4.0
Rds(on) [Ohm Max] at Vgs=10V：
1.15
Qg[nC]：
1.00
Option：
20.1
Package：
B-ver.
Datasheet：
TO-220

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