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IXGH40N60B2D1

HiPerFAST IGBT

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching Features Medium frequency IGBT Square RBSOA High current handling capability MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications PFC circuits Uninterruptible power supplies (UPS) Switched-m

文件:612.28 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH40N60B2D1

PT IGBTs

·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;

Littelfuse

力特

IXGH40N60B2D1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 75A 300W TO247

IXYS

艾赛斯

IXGR40N60B2D1

C2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)

文件:502.82 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGT40N60B2D1

HiPerFAST IGBT

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching Features Medium frequency IGBT Square RBSOA High current handling capability MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications PFC circuits Uninterruptible power supplies (UPS) Switched-m

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IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH40N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    400µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/130ns

  • 测试条件:

    400V,30A,3.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 300W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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更多IXGH40N60B2D1供应商 更新时间2025-10-4 13:40:00