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IXGH56N60B3D1	文件：206.69 Kbytes Page：7 Pages	GenX3 600V IGBT OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3™insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3™IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXGH56N60B3D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 330W TO247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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IXGH56N60B3D1

文件：206.69 Kbytes

Page：7 Pages

GenX3 600V IGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3™insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3™IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

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IXGH56N60B3D1

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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXGH56N60B3D1

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 330W TO247

IXYS

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IXYS

产品属性

产品编号：
IXGH56N60B3D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
GenX3™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，44A
开关能量：
1.3mJ（开），1.05mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/155ns
测试条件：
480V，44A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 330W TO247

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更多IXGH56N60B3D1供应商更新时间2024-5-21 14:12:00

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