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IXGH40N60B2D1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGH40N60B2D1
厂商型号

IXGH40N60B2D1

参数属性

IXGH40N60B2D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 75A 300W TO247

功能描述

HiPerFAST IGBT
IGBT 600V 75A 300W TO247

封装外壳

TO-247-3

文件大小

612.28 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
IXYS
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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IXGH40N60B2D1规格书详情

IXGH40N60B2D1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXGH40N60B2D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching

特性 Features

Medium frequency IGBT

Square RBSOA

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

PFC circuits

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode power supplies

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGH40N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    400µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/130ns

  • 测试条件:

    400V,30A,3.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 300W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
5878
原装现货,当天可交货,原型号开票
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IXYS
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TO-247
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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原装模块
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样品可出,原装现货
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IXYS/艾赛斯
24+
TO-220
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只做原厂渠道 可追溯货源
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IXYS
24+
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IXYS/艾赛斯
22+
TO-247
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原装正品
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IXYS
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TO247AD (IXGH)
9000
原厂渠道,现货配单
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