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IXGH36N60B3C1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | IXGH36N60B3C1 | 
| 参数属性 | IXGH36N60B3C1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 75A 250W TO247 | 
| 功能描述 | GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode | 
| 封装外壳 | TO-247-3 | 
| 文件大小 | 186.05 Kbytes | 
| 页面数量 | 6 页 | 
| 生产厂商 | IXYS | 
| 中文名称 | 艾赛斯 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 10:28:00 | 
| 人工找货 | IXGH36N60B3C1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
IXGH36N60B3C1规格书详情
IXGH36N60B3C1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXGH36N60B3C1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
Medium Speed Low Vsat PT
IGBT for 5 - 40kHz Switching
特性 Features
● Optimized for Low Conduction and
Switching Losses
● Square RBSOA
● Anti-Parallel Schottky Diode
● International Standard Package
Advantages
● High Power Density
● Low Gate Drive Requirement
Applications
● Power Inverters
● UPS
● Motor Drives
● SMPS
● PFC Circuits
● Battery Chargers
● Welding Machines
● Lamp Ballasts
产品属性
更多- 产品编号:IXGH36N60B3C1 
- 制造商:IXYS 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 
- 系列:GenX3™ 
- 包装:管件 
- IGBT 类型:PT 
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,30A 
- 开关能量:390µJ(开),800µJ(关) 
- 输入类型:标准 
- 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/125ns 
- 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V 
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:TO-247-3 
- 供应商器件封装:TO-247AD 
- 描述:IGBT 600V 75A 250W TO247 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
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