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IXGH32N60C分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IXGH32N60C

参数属性

IXGH32N60C 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 60A 200W TO247AD

功能描述

HiPerFAST IGBT Lightspeed Series
IGBT 600V 60A 200W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

文件大小

117.66 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-31 12:27:00

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IXGH32N60C规格书详情

IXGH32N60C属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXGH32N60C晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

• International standard packages JEDEC TO-247 and surface mountable TO-268

• High current handling capability

• Latest generation HDMOSTM process

• MOS Gate turn-on - drive simplicity

Applications

• PFC circuits

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Advantages

• High power density

• Very fast switching speeds for high frequency applications

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGH32N60C

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™, Lightspeed™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,32A

  • 开关能量:

    320µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/85ns

  • 测试条件:

    480V,32A,4.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 200W TO247AD

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