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IXGH36N60A3D4分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IXGH36N60A3D4

参数属性

IXGH36N60A3D4 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 220W TO247

功能描述

GenX3 600V IGBT with Diode
IGBT 600V 220W TO247

封装外壳

TO-247-3

文件大小

204.5 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

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数据手册

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更新时间

2025-10-31 10:28:00

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IXGH36N60A3D4规格书详情

IXGH36N60A3D4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXGH36N60A3D4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Ultra Low Vsat PT IGBT for up to 5kHz switching

特性 Features

• Optimized for low conduction losses

• Square RBSOA

• Anti-parallel ultra fast diode

• International standard package

Advantages

• High power density

• Low gate drive requirement

Applications

• Power Inverters

• UPS

• Motor Drives

• SMPS

• PFC Circuits

• Battery Chargers

• Welding Machines

• Lamp Ballasts

• Inrush Current Protection Circuits

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGH36N60A3D4

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.4V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    740µJ(开),3mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/330ns

  • 测试条件:

    400V,30A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 220W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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