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IXGH36N60A3D4分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | IXGH36N60A3D4 | 
| 参数属性 | IXGH36N60A3D4 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 220W TO247 | 
| 功能描述 | GenX3 600V IGBT with Diode | 
| 封装外壳 | TO-247-3 | 
| 文件大小 | 204.5 Kbytes | 
| 页面数量 | 7 页 | 
| 生产厂商 | IXYS | 
| 中文名称 | 艾赛斯 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 10:28:00 | 
| 人工找货 | IXGH36N60A3D4价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
IXGH36N60A3D4规格书详情
IXGH36N60A3D4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXGH36N60A3D4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
Ultra Low Vsat PT IGBT for up to 5kHz switching
特性 Features
• Optimized for low conduction losses
• Square RBSOA
• Anti-parallel ultra fast diode
• International standard package
Advantages
• High power density
• Low gate drive requirement
Applications
• Power Inverters
• UPS
• Motor Drives
• SMPS
• PFC Circuits
• Battery Chargers
• Welding Machines
• Lamp Ballasts
• Inrush Current Protection Circuits
产品属性
更多- 产品编号:IXGH36N60A3D4 
- 制造商:IXYS 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 
- 系列:GenX3™ 
- 包装:管件 
- IGBT 类型:PT 
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A 
- 开关能量:740µJ(开),3mJ(关) 
- 输入类型:标准 
- 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/330ns 
- 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V 
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:TO-247-3 
- 供应商器件封装:TO-247AD 
- 描述:IGBT 600V 220W TO247 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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