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IXGH40N60分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGH40N60
厂商型号

IXGH40N60

参数属性

IXGH40N60 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 75A 250W TO247AD

功能描述

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IGBT 600V 75A 250W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

文件大小

106.52 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
IXYS
数据手册

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更新时间

2025-8-5 9:19:00

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IXGH40N60规格书详情

IXGH40N60属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXGH40N60晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

International standard packages

2nd generation HDMOS™ process

Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode power supplies

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGH40N60

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    3mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    100ns/600ns

  • 测试条件:

    480V,40A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 250W TO247AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
25+
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