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IXGH16N60B2D1

HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed w/ Diode

Features ● Optimized for Low Conduction and Switching Losses ● Square RBSOA ● Anti-Parallel Ultra Fast Diode ● International Standard Packages Applications ● Power Inverters ● UPS ● Motor Drives ● SMPS ● PFC Circuits ● Battery Chargers ● Welding Machines ● Lamp Ballasts Advantages ●

文件:222.51 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH16N60B2D1

PT IGBTs

·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;

Littelfuse

力特

IXGH16N60B2D1

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 40A 150W TO247

IXYS

艾赛斯

IXGP16N60B2

HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed

文件:229.34 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH16N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    160µJ(开),120µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/73ns

  • 测试条件:

    400V,12A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 150W TO247

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更多IXGH16N60B2供应商 更新时间2025-11-25 9:11:00