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IXGH25N100U1

PT IGBTs

·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse

IXGH25N100U1

High speed IGBT with Diode

Features ●InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ●IGBTandanti-parallelFREDinonepackage ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -softreco

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXGH25N100U1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1000V 50A 200W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

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IXGH45N120

IXYS
TO-247

IXYS

IXYS Corporation

上传:深圳市卓越微芯电子有限公司

IXYS

IXGH60N60C3D1

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Module

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上传:深圳市华睿芯科技有限公司

IXYS

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH25N100U1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,25A

  • 开关能量:

    5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    100ns/500ns

  • 测试条件:

    800V,25A,33 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1000V 50A 200W TO247AD

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更多IXGH25N100U1供应商 更新时间2025-8-2 9:02:00