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IXGH10N100	文件：46.1 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT 文件：46.1 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH10N100	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGH10N100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 20A 100W TO247AD	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH10N100AU1	文件：121.57 Kbytes Page：6 Pages	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Features ● International standard package JEDEC TO-247 AD ● IGBT and anti-parallel FRED in one package ● 2nd generation HDMOSTM process ● Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) - soft 文件：121.57 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH10N100U1	文件：121.57 Kbytes Page：6 Pages	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Features ● International standard package JEDEC TO-247 AD ● IGBT and anti-parallel FRED in one package ● 2nd generation HDMOSTM process ● Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) - soft 文件：121.57 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH10N100A	文件：46.1 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT 文件：46.1 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH10N100AU1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 20A 100W TO247AD	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH10N100U1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 20A 100W TO247AD	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGH10N100
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，10A
输入类型：
标准
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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