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IXGH10N100U1	文件：121.57 Kbytes Page：6 Pages	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Features ●Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD ●IGBTandanti-parallelFREDinone package ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -soft	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH10N100U1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 20A 100W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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IXGH10N100U1

文件：121.57 Kbytes

Page：6 Pages

Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode

Features ●Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD ●IGBTandanti-parallelFREDinone package ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-on -drivesimplicity ●FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) -soft

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

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IXGH10N100U1

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Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

IXYS

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IXYS

产品属性

产品编号：
IXGH10N100U1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，10A
开关能量：
2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
100ns/550ns
测试条件：
800V，10A，150 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXGH10N100U1供应商更新时间2024-5-24 9:02:00

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