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IXGH10N100U1

Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode

Features ● International standard package JEDEC TO-247 AD ● IGBT and anti-parallel FRED in one package ● 2nd generation HDMOSTM process ● Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) - soft

文件:121.57 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH10N100U1

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

IXYS

艾赛斯

IXGH16N170

TO-3P

IXGH45N120

TO-247

IXGH60N60C3D1

Module

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH10N100U1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    100ns/550ns

  • 测试条件:

    800V,10A,150 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXGH10N100U1供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00