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IXGC16N60C2

Electrically Isolated Back Surface

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IXYS

艾赛斯

IXGC16N60C2

Electrically Isolated Back Surface

Littelfuse

力特

IXGC16N60C2

Package:ISOPLUS220™;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 20A 63W ISOPLUS220

IXYS

艾赛斯

IXGC16N60C2D1

Electrically Isolated Back Surface

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IXYS

艾赛斯

IXGC16N60C2D1

Package:ISOPLUS220™;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 20A 63W ISOPLUS220

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGC16N60C2

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    60µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/60ns

  • 测试条件:

    400V,12A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    ISOPLUS220™

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS220™

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 63W ISOPLUS220

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更多IXGC16N60C2供应商 更新时间2026-2-1 10:30:00