isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 145mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件：337.26 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Power MOSFET

文件：244.12 Kbytes 页数：7 Pages

IXYS

艾赛斯

汽车级超-超级结X2-Class MOSFET

• 国际标准包装\n• 较低的RDS(ON)和QG\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

TO-247

IXYS/艾赛斯

上传：中天科工半导体（深圳）有限公司

TO-247

IXYS

艾赛斯

上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司