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K30N60	文件：324.74 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
K30N60HS	文件：435.61 Kbytes Page：14 Pages	HIGHSPEEDIGBTINNPT-TECHNOLOGY HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
KGF30N60KDA	文件：1.57088 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGF30N60PA	文件：1.41679 Mbytes Page：6 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KW30N60DTP	文件：1.54776 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MGW30N60	文件：214.5 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsre	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGY30N60D	文件：254.58 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–block	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
NGTB30N60FLWG	文件：182.13 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB30N60FWG	文件：182.66 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB30N60IHLWG	文件：180.9 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
IXFC30N60P
功能描述：
MOSFET 600V 30A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IXFC30N60P供应商更新时间2025-7-25 16:13:00

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