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IXBP5N160G	文件：45.54 Kbytes Page：2 Pages	Monolithic Bipolar MOS Transistor High Voltage BIMOSFET™ Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • High Voltage BIMOSFETTM - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop - MOSFET compatible control 10 V turn on gate voltage - fast switching for high frequency oper 文件：45.54 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBP5N160G	文件：300 bytes Page：1 Pages	BiMOSFET™ 高电压 • 高阻断电压\n• 高功率密度\n• 高电流处理能力\n• 低传导损耗\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXBP5N160G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB	IXYS 艾赛斯	IXYS
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产品属性

产品编号：
IXBP5N160G
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
7.2V @ 15V，3A
输入类型：
标准
测试条件：
960V，3A，47 欧姆，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

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