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IXBP5N160G | Monolithic Bipolar MOS Transistor HighVoltageBIMOSFET™ MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETs withsignificantlylowervoltagedrop -MOSFETcompatiblecontrol 10Vturnongatevoltage -fastswitchingforhighfrequency oper | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | IXYS | |
IXBP5N160G | 包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | IXYS | |
MonolithicBipolarMOSTransistor HighVoltageBIMOSFET™ MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETs withsignificantlylowervoltagedrop -MOSFETcompatiblecontrol 10Vturnongatevoltage -fastswitchingforhighfrequency oper | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | IXYS | ||
HighVoltageBIMOSFETTM HighVoltageBIMOSFET™ MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETs withsignificantlylowervoltagedrop -MOSFETcompatiblecontrol 10Vturnongatevoltage -fastswitchingforhighfrequency oper | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | IXYS |
产品属性
- 产品编号:
IXBP5N160G
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
BIMOSFET™
- 包装:
卷带(TR)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
7.2V @ 15V,3A
- 输入类型:
标准
- 测试条件:
960V,3A,47 欧姆,10V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
23+ |
DIP18 |
6000 |
15年原装正品企业 |
询价 | ||
IXYS |
08+(pbfree) |
TO-220 |
8866 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
TO-220 |
8600 |
全新原装现货 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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询价 | ||
IXYS |
1809+ |
TO-247 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO247AD |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO247AD |
9000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-220AB |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
6328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 |
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