首页 >IXBP5N160G>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

IXBP5N160G

Monolithic Bipolar MOS Transistor

HighVoltageBIMOSFET™ MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETs withsignificantlylowervoltagedrop -MOSFETcompatiblecontrol 10Vturnongatevoltage -fastswitchingforhighfrequency oper

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXBP5N160G

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXBH5N160G

MonolithicBipolarMOSTransistor

HighVoltageBIMOSFET™ MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETs withsignificantlylowervoltagedrop -MOSFETcompatiblecontrol 10Vturnongatevoltage -fastswitchingforhighfrequency oper

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXBH5N160G

HighVoltageBIMOSFETTM

HighVoltageBIMOSFET™ MonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETs withsignificantlylowervoltagedrop -MOSFETcompatiblecontrol 10Vturnongatevoltage -fastswitchingforhighfrequency oper

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXBP5N160G

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    7.2V @ 15V,3A

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    960V,3A,47 欧姆,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原装正品企业
询价
IXYS
08+(pbfree)
TO-220
8866
询价
IXYS
23+
TO-220
8600
全新原装现货
询价
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
询价
IXYS
1809+
TO-247
326
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
IXYS
22+
TO247AD
9000
原厂渠道,现货配单
询价
IXYS
23+
TO247AD
9000
原装正品,支持实单
询价
IXYS
2022+
TO-220AB
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-247-3
6328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
更多IXBP5N160G供应商 更新时间2024-5-15 16:26:00