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IXBH5N160G分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IXBH5N160G |
参数属性 | IXBH5N160G 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD |
功能描述 | High Voltage BIMOSFETTM |
文件大小 |
45.54 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-10 13:00:00 |
IXBH5N160G规格书详情
High Voltage BIMOSFET™
Monolithic Bipolar MOS Transistor
Features
• High Voltage BIMOSFETTM
- substitute for high voltage MOSFETs
with significantly lower voltage drop
- MOSFET compatible control
10 V turn on gate voltage
- fast switching for high frequency
operation
- reverse conduction capability
• industry standard package
- TO-220AB
- TO-247AD
epoxy meets UL94V-0
Applications
• switched mode power supplies
• DC-DC converters
• resonant converters
• lamp ballasts
• laser generators, x ray generators
IXBH5N160G属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXBH5N160G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
IXBH5N160G
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
BIMOSFET™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
7.2V @ 15V,3A
- 输入类型:
标准
- 测试条件:
960V,3A,47 欧姆,10V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
21+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
56000 |
一级代理放心采购 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
21+ROHS |
TO-247 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247AD |
90000 |
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IXYS |
19+ |
TO-247AD(IXBH) |
56800 |
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IXYS |
22+ |
TO247AD (IXBH) |
9000 |
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IXYS |
1931+ |
N/A |
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IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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