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IXBH5N160G分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXBH5N160G
厂商型号

IXBH5N160G

参数属性

IXBH5N160G 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD

功能描述

High Voltage BIMOSFETTM
IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

文件大小

45.54 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 10:08:00

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IXBH5N160G规格书详情

IXBH5N160G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXBH5N160G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

High Voltage BIMOSFET™

Monolithic Bipolar MOS Transistor

特性 Features

• High Voltage BIMOSFETTM

- substitute for high voltage MOSFETs

with significantly lower voltage drop

- MOSFET compatible control

10 V turn on gate voltage

- fast switching for high frequency

operation

- reverse conduction capability

• industry standard package

- TO-220AB

- TO-247AD

epoxy meets UL94V-0

Applications

• switched mode power supplies

• DC-DC converters

• resonant converters

• lamp ballasts

• laser generators, x ray generators

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXBH5N160G

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    7.2V @ 15V,3A

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    960V,3A,47 欧姆,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD

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