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IXBP5N160G中文资料BiMOSFET™ 高电压数据手册Littelfuse规格书

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厂商型号

IXBP5N160G

参数属性

IXBP5N160G 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

功能描述

BiMOSFET™ 高电压

封装外壳

TO-220-3

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-10-3 15:30:00

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IXBP5N160G规格书详情

特性 Features

• 高阻断电压
• 高功率密度
• 高电流处理能力
• 低传导损耗
• MOS栅极开启简单便捷
• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装

应用 Application

• 雷达传感器电源
• 雷达脉冲调制器
• 电容放电电路
• 高压电源
• AC开关
• HV断路器
• 脉冲电路
• 高压测试设备
• 激光和X射线发生器

技术参数

  • 制造商编号

    :IXBP5N160G

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :5.7

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :4.9

  • Configuration

    :Copack (FRED)

  • Package Type

    :TO-220AB

  • Fall Time [Resistive Load](ns)

    :70

  • Thermal resistance [junction-case](K/W)

    :1.85

  • Collector Current @ 90 ℃ (A)

    :3.5

  • Driving Voltages (V)

    :10

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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