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ITU02N60R	文件：300 bytes Page：1 Pages	HVMOS	IPS 华润芯	IPS
M02N60	文件：169.16 Kbytes Page：5 Pages	N Channel MOSFET FEATURE Robust High Voltage Temination. Avalanche Energy Specified Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature 文件：169.16 Kbytes 页数：5 Pages	STANSON 司坦森	STANSON
M02N60B	文件：221.2 Kbytes Page：5 Pages	N Channel MOSFET FEATURE Robust High Voltage Temination. Avalanche Energy Specified Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits IDSSand VDS(on) Specified at Elevated Temperature 文件：221.2 Kbytes 页数：5 Pages	STANSON 司坦森	STANSON
NDD02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 文件：146.41 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

VDS (min)(V)：
600
ID(A)：
2
RDS(on)(typ)(@10V)：
3.3
RDS(on)(max)(@10V)：
4.5
Qg(typ)(nC)：
9.5
Ciss(typ)(pF)：
335

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市海天鸿电子科技有限公司	ITU02N65A	IPS	1716+	TO-251	8500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	ITU02N65A	IPS	TO-251	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市能元时代电子有限公司	ITU02N65A	IPS	23+	TO-251	51704	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳市顺鑫晟科技有限公司	ITU02N65A	IPS	25+	TO-251	188600	全新原厂原装正品现货欢迎咨询	询价
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深圳市柯尔基电子有限公司	ITU02N70A	IPS	23+24	TO-251	56983	原装正品,原盘原标,提供BOM一站式配单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	ITU02N80A	IPS	14+	TO251	904	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市宇集芯电子有限公司	ITU0312S05	XP Power	24+	N/A	12000	一级代理保证进口原装正品假一罚十价格合理	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ITU04N65R	IPS	23+	TO-251	33500	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

更多ITU02N60R供应商更新时间2025-12-15 15:09:00

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