M02N60中文资料STANSON数据手册PDF规格书
M02N60规格书详情
FEATURE
Robust High Voltage Temination.
Avalanche Energy Specified
Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits
IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
产品属性
- 型号：
M02N60
- 制造商：
STANSON
- 制造商全称：
STANSON
- 功能描述：
N Channel MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
NA/ |
217 |
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23+ |
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24+ |
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