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M02N60B	文件：221.2 Kbytes Page：5 Pages	N Channel MOSFET FEATURE RobustHighVoltageTemination. AvalancheEnergySpecified Source-toDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircurits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	STANSON Stanson Technology	STANSON
NDD02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD02N60Z	文件：299.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDF02N60Z	文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：319.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDF02N60ZG	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NDF02N60ZG	文件：1.99553 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
M02N60B
制造商：
STANSON
制造商全称：
STANSON
功能描述：
N Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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