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ITP02N60R	文件：300 bytes Page：1 Pages	HVMOS	IPS 华润芯	IPS
M02N60	文件：169.16 Kbytes Page：5 Pages	N Channel MOSFET FEATURE Robust High Voltage Temination. Avalanche Energy Specified Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature 文件：169.16 Kbytes 页数：5 Pages	STANSON 司坦森	STANSON
M02N60B	文件：221.2 Kbytes Page：5 Pages	N Channel MOSFET FEATURE Robust High Voltage Temination. Avalanche Energy Specified Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits IDSSand VDS(on) Specified at Elevated Temperature 文件：221.2 Kbytes 页数：5 Pages	STANSON 司坦森	STANSON
NDD02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 文件：146.41 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

VDS (min)(V)：
600
ID(A)：
2
RDS(on)(typ)(@10V)：
3.3
RDS(on)(max)(@10V)：
4.5
Qg(typ)(nC)：
9.5
Ciss(typ)(pF)：
335

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏和科技有限公司	ITP02N65A	IPS	24+	TO-220	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	ITP02N65A	IPS	TO-220	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳庞田科技有限公司	ITP02N65A	IPS	2023+	TO-220	20000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	ITP02N65A	IPS	25+	TO-TO-220	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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深圳市晨豪科技有限公司	ITP02N70A	IPS	23+	TO-220	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	ITP0312D05	XP Power	2022+	原厂原包装	6800	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司	ITP0312S12		24+	N/A	75000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价

更多ITP02N60R供应商更新时间2025-11-26 10:20:00

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