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ISL9V3040S3ST-F085C数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

ISL9V3040S3ST-F085C

参数属性

ISL9V3040S3ST-F085C 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263

功能描述

IGBT,N 沟道点火,D2PAK, 400V,17A,1.58V,300mJ,EcoSPARK® I
ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 10:40:00

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ISL9V3040S3ST-F085C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

ISL9V3040S3ST-F085C规格书详情

描述 Description

The ISL9V3040D3ST-F085C and ISL9V3040S3ST-F085C offer outstanding SCIS capability in the space saving D-Pak (TO-252), as well as the industry standard D²-Pak (TO-263), plastic packages. This device is intended for use in automotive ignition circuits, specifically as a coil driver. Internal diodes provide voltage clamping without the need for external components.EcoSPARK® devices can be custom made to specific clamp voltages. Contact your nearest ON Semiconductor sales office for more information.Formerly Developmental Type 49362

特性 Features

• Space saving D-Pak package availability
• SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25℃
• Logic Level Gate Drive

应用 Application

• Body Electronics

简介

ISL9V3040S3ST-F085C属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的ISL9V3040S3ST-F085C晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ISL9V3040S3ST-F085C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :400

  • IC Max (A)

    :17

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.6

  • Trr Typ (ns)

    :1900

  • PD Max (W)

    :150

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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