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ISL9V2040D3S数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

ISL9V2040D3S

参数属性

ISL9V2040D3S 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 430V 10A 130W TO252AA

功能描述

EcoSPARKTM 200mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
IGBT 430V 10A 130W TO252AA

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:14:00

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ISL9V2040D3S规格书详情

简介

ISL9V2040D3S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的ISL9V2040D3S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    ISL9V2040D3S

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    EcoSPARK®

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 4V,6A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/3.64µs

  • 测试条件:

    300V,1 千欧,5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 430V 10A 130W TO252AA

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