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ISL9R860S3ST中文资料8A,600V,STEALTH™ 二极管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

ISL9R860S3ST

参数属性

ISL9R860S3ST 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

功能描述

8A,600V,STEALTH™ 二极管
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:34:00

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ISL9R860S3ST规格书详情

描述 Description

ISL9R860S3ST 是经过优化的 STEALTH™ 二极管,可在高频率的硬开关应用中实现低损耗性能。 STEALTH™ 系列在典型运行条件下,具备低反向恢复电流 (IRR) 和出色的软恢复特性。 该器件在电源及其他电源开关应用中用作续流或升压二极管。 低 IRR和短 ta 阶段可降低开关晶体管中的损耗。 软恢复可以减小振铃,扩大二极管不使用其他缓冲电路而运行的条件范围。 考虑将Stealth™ 二极管与SMPS IGBT配合使用,以更低成本提供最高效、最高功率密度的设计。

特性 Features

•Stealth 恢复,Trr=28 ns(需 IF= 8 A)
•最大正向电压,VF=2.4 V(需 TC=25°C)
•600 V 反向电压和高可靠性
•雪崩能量额定值
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站

简介

ISL9R860S3ST属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的ISL9R860S3ST二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ISL9R860S3ST

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Type

    :Single

  • IO(rec) Max (A)

    :8

  • trr Max (ns)

    :30

  • VRRM Max (V)

    :600

  • VFM Max (V)

    :2.4

  • IFSM Max (A)

    :100

  • IR Max (mA)

    :0.1

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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1983
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