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ISL9V3040P3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

ISL9V3040P3

参数属性

ISL9V3040P3 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 430V 21A TO220-3

功能描述

IGBT,400V,17A,1.58V,300mJ,TO-220EcoSPARK® I,N 沟道点火
IGBT 430V 21A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 10:40:00

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ISL9V3040P3规格书详情

描述 Description

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3和ISL9V3040S3是下一代点火IGBT,它们在节省空间的D-Pak (TO-252)、工业标准D²-Pak (TO-263)以及TO-262和TO-220塑料封装中提供出众的SCIS能力。 此器件设计用于车用点火电路,特别是电感驱动模块。 内部二极管提供电压钳位,无需外部组件。

特性 Features

• 节省空间的 D-Pak 封装
• 在TJ = 25oC时,SCIS能量 = 300mJ
• 逻辑电平栅极驱动

简介

ISL9V3040P3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的ISL9V3040P3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ISL9V3040P3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :400

  • IC Max (A)

    :17

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.6

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :-

  • Eon Typ (mJ)

    :-

  • Trr Typ (ns)

    :2100

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :17

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :150

  • Co-Packaged Diode

    :-

  • Package Type

    :TO-220-3

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