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ISL9V3040D3S数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

ISL9V3040D3S

参数属性

ISL9V3040D3S 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 430V 21A 150W TO252AA

功能描述

EcoSPARK™ 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
IGBT 430V 21A 150W TO252AA

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:44:00

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ISL9V3040D3S规格书详情

描述 Description

General Description
The ISL9V3040D3S, ISL9V3040S3S, ISL9V3040P3, and ISL9V3040S3 are the next generation ignition IGBTs that offer outstanding SCIS capability in the space saving D-Pak (TO-252), as well as the industry standard D²-Pak (TO-263), and TO-262 and TO-220 plastic packages. This device is intended for use in automotive ignition circuits, specifically as a coil driver. Internal diodes provide voltage clamping without the need for external components.

特性 Features

• Space saving D-Pak package availability
• SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25oC
• Logic Level Gate DriveApplications
• Automotive Ignition Coil Driver Circuits
• Coil- On Plug Applications

应用 Application

• Automotive Ignition Coil Driver Circuits
• Coil- On Plug Applications

简介

ISL9V3040D3S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的ISL9V3040D3S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    ISL9V3040D3S

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    EcoSPARK®

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 4V,6A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/4.8µs

  • 测试条件:

    300V,1 千欧,5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 430V 21A 150W TO252AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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