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ISL9V3040D3S	文件：3.91689 Mbytes Page：12 Pages	ECOSPARK Ignition IGBT 300 mJ, 400 V, N−Channel Ignition IGBT GeneralDescription TheISL9V3040D3S,ISL9V3040S3S,andISL9V3040P3arethe nextgenerationignitionIGBTsthatofferoutstandingSCIScapability inthespacesavingD−Pak(TO−252),aswellastheindustrystandard D2−Pak(TO−263),andTO−262andTO−220plasticpackages.This deviceisintend	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ISL9V3040D3S	文件：196.02 Kbytes Page：8 Pages	EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT GeneralDescription TheISL9V3040D3S,ISL9V3040S3S,ISL9V3040P3,andISL9V3040S3arethenextgenerationignitionIGBTsthatofferoutstandingSCIScapabilityinthespacesavingD-Pak(TO-252),aswellastheindustrystandardD²-Pak(TO-263),andTO-262andTO-220plasticpackages.Thisdevice	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
ISL9V3040D3S	文件：172.62 Kbytes Page：8 Pages	EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
ISL9V3040D3S	文件：168.67 Kbytes Page：4 Pages	300mJ, 400V, N-CHANNEL IGNITION IGBT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
ISL9V3040D3S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 430V 21A 150W TO252AA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ISL9V3040D3ST	文件：3.91689 Mbytes Page：12 Pages	ECOSPARK Ignition IGBT 300 mJ, 400 V, N−Channel Ignition IGBT GeneralDescription TheISL9V3040D3S,ISL9V3040S3S,andISL9V3040P3arethe nextgenerationignitionIGBTsthatofferoutstandingSCIScapability inthespacesavingD−Pak(TO−252),aswellastheindustrystandard D2−Pak(TO−263),andTO−262andTO−220plasticpackages.This deviceisintend	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ISL9V3040D3ST-F085C	文件：2.37105 Mbytes Page：11 Pages	ECOSPARK Ignition IGBT 300 mJ, 400 V, N−Channel Ignition IGBT Features •SCISEnergy=300mJatTJ=25°C •LogicLevelGateDrive •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications •AutomotiveIgnitionCoilDriverCircuits •HighCurrentIgnitionSystem •CoilonPlugApplication	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ISL9V3040D3STV	文件：718.26 Kbytes Page：8 Pages	Marking：ISL9V3040G1；Package：DPAK；ECOSPARK Ignition IGBT 300 mJ, 400 V, N-Channel Ignition IGBT Features •SCISEnergy=300mJatTJ=25°C •LogicLevelGateDrive •ThisDeviceisPb−FreeandisRoHSCompliant •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable Applications •AutomotiveIgnitionCoilDriverCircuits •HighCurrentIgnitionSystem •CoilonPlugApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ISL9V3040D3S_04	文件：172.62 Kbytes Page：8 Pages	EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
ISL9V3040D3S_15	文件：199.98 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL JUNCTION FET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

产品属性

产品编号：
ISL9V3040D3S
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
EcoSPARK®
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 4V，6A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
-/4.8µs
测试条件：
300V，1 千欧，5V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252AA
描述：
IGBT 430V 21A 150W TO252AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	ISL9V3040D3S	FAIRCHILD/仙童	14+	SOT-252	500	原装正品可含税交易	询价
深圳市星佑电子有限公司	ISL9V3040D3S	FAIRCHILD	05+	原厂原装	12660	只做全新原装真实现货供应	询价
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更多ISL9V3040D3S供应商更新时间2025-5-21 14:02:00

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