ISL9V3040D3S分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号	ISL9V3040D3S
参数属性	ISL9V3040D3S 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 430V 21A 150W TO252AA
功能描述	EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
封装外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
文件大小	196.02 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	Fairchild Semiconductor
企业简称	FAIRCHILD【仙童半导体】
中文名称	飞兆/仙童半导体公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-6-13 23:00:00
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ISL9V3040D3S规格书详情

General Description

The ISL9V3040D3S, ISL9V3040S3S, ISL9V3040P3, and ISL9V3040S3 are the next generation ignition IGBTs that offer outstanding SCIS capability in the space saving D-Pak (TO-252), as well as the industry standard D²-Pak (TO-263), and TO-262 and TO-220 plastic packages. This device is intended for use in automotive ignition circuits, specifically as a coil driver. Internal diodes provide voltage clamping without the need for external components.

Features

• Space saving D-Pak package availability

• SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25oC

• Logic Level Gate Drive

Applications

• Automotive Ignition Coil Driver Circuits

• Coil- On Plug Applications

产品属性

产品编号：
ISL9V3040D3S
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
EcoSPARK®
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 4V，6A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
-/4.8µs
测试条件：
300V，1 千欧，5V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252AA
描述：
IGBT 430V 21A 150W TO252AA

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