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ISL9V3040D3S分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

ISL9V3040D3S

参数属性

ISL9V3040D3S 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 430V 21A 150W TO252AA

功能描述

ECOSPARK Ignition IGBT 300 mJ, 400 V, N−Channel Ignition IGBT
IGBT 430V 21A 150W TO252AA

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

3.91689 Mbytes

页面数量

12

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-12 23:01:00

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ISL9V3040D3S规格书详情

ISL9V3040D3S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体制造生产的ISL9V3040D3S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

General Description

The ISL9V3040D3S, ISL9V3040S3S, and ISL9V3040P3 are the

next generation ignition IGBTs that offer outstanding SCIS capability

in the space saving D−Pak (TO−252), as well as the industry standard

D2−Pak (TO−263), and TO−262 and TO−220 plastic packages. This

device is intended for use in automotive ignition circuits, specifically

as a coil driver. Internal diodes provide voltage clamping without the

need for external components.

ECOSPARK devices can be custom made to specific clamp

voltages. Contact your nearest onsemi sales office for more

information.

Formerly Developmental Type 49362.

特性 Features

• Space Saving D−Pak Package Availability

• SCIS Energy = 300 mJ at TJ = 25°C

• Logic Level Gate Drive

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These are Pb−Free Devices

Applications

• Automotive Ignition Coil Driver Circuits

• Coil−On Plug Application

产品属性

更多
  • 产品编号:

    ISL9V3040D3S

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    EcoSPARK®

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 4V,6A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/4.8µs

  • 测试条件:

    300V,1 千欧,5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 430V 21A 150W TO252AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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