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ISL9V3036D3STV数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

ISL9V3036D3STV

参数属性

ISL9V3036D3STV 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300MJ, D

功能描述

IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300mJ, D2PAKEcoSPARK® I, N-Channel Ignition
IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300MJ, D

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 10:31:00

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ISL9V3036D3STV规格书详情

描述 Description

The ISL9V3036D3S, ISL9V3036S3S, and ISL9V3036P3 are the next generation IGBTs that offer outstanding SCIS capability in the space saving D-Pak (TO-252), as well as the industry standard D²-Pak (TO-263) and TO-220 plastic packages. These devices are intended for use in automotive ignition circuits, specifically as a coil drivers. Internal diodes provide voltage clamping without the need for external components.EcoSPARK® devices can be custom made to specific clamp voltages. Contact your nearest Fairchild sales office for more information.Formerly Developmental Type 49442.

特性 Features

• SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25°C
• Logic Level Gate Drive
• Space saving D-Pak package availability

应用 Application

• Power Train

简介

ISL9V3036D3STV属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的ISL9V3036D3STV晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ISL9V3036D3STV

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :360

  • IC Max (A)

    :21

  • Gate Charge Typ (nC)

    :17

  • Package Type

    :DPAK-3

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