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ISL9V3040D3ST-F085C数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
ISL9V3040D3ST-F085C |
参数属性 | ISL9V3040D3ST-F085C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252 |
功能描述 | IGBT, N-Channel Ignition, DPAK, 17A, 1.58V, 300mJ EcoSPARK® I |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 10:50:00 |
人工找货 | ISL9V3040D3ST-F085C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
ISL9V3040D3ST-F085C规格书详情
描述 Description
The ISL9V3040D3ST-F085C and ISL9V3040S3ST-F085C offer outstanding SCIS capability in the space saving D-Pak (TO-252), as well as the industry standard D2-Pak (TO-263) plastic packages. This device is intended for use in automotive ignition circuits, specifically as a coil driver. Internal diodes provide voltage clamping without the need for external components.EcoSPARK® devices can be custom made to specific clamp voltages. Contact your nearest ON Semiconductor sales office for more information.Formerly Developmental Type 49362.
特性 Features
• Space saving D-Pak package availability
• SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25°C
• Logic Level Gate Drive
应用 Application
• Body Electronics
简介
ISL9V3040D3ST-F085C属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的ISL9V3040D3ST-F085C晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:ISL9V3040D3ST-F085C
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:400
- IC Max (A)
:17
- VCE(sat) Typ (V)
:1.6
- Gate Charge Typ (nC)
:17
- PD Max (W)
:150
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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